آموزش پیشرفتهآموزش نانو

بررسی انواع پوشش‌های رسانا به‌منظور تصویربرداری با میکروسکوپ الکترونی روبشی

امروزه مطالعه درباره خواص مواد بدون آگاهی از اطلاعات مربوط به ریزساختار آن‌ها امکان‌پذیر نیست. به‌منظور دستیابی به این مهم، استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی سیار رایج و حائز اهمیت است. با توجه به ضرورت به کارگیری باریکه الکترونی برای تصویربرداری در این میکروسکوپ‌ها و همچنین با در نظر گرفتن این مسئله که طیف گسترده‌ای از مواد هدایت الکتریکی مناسبی ندارند، استفاده از این روش باعث بروز مشکلاتی برای رسیدن به نتایج مطلوب می‌شود. برای این منظور، استفاده از پوشش هادی روی سطح نمونه‌های نیمه‌رسانا و نارسانا به‌عنوان بهترین راهکار ارائه شده‌است که به‌طور گسترده‌ای مورد استفاده قرار می‌گیرد.
در این مقاله ابتدا به انواع پوشش‌های استفاده شده روی نمونه‌های مورد بررسی در میکروسکوپ الکترونی روبشی اشاره می‌شود و در ادامه نیز، به دلایل استفاده از هر یک از آن‌ها و انواع روش‌های پوشش‌دهی خواهیم پرداخت.
این مقاله شامل سرفصل های زیر است:
1- 
انواع پوشش‌های اعمالی روی سطح نمونه
2- انواع روش‌های پوشش‌دهی
3- 
شبکه آزمایشگاهی فناوری راهبردی
در میکروسکوپ الکترونی روبشی، بررسی نمونه با استفاده از باریکه الکترونی انجام می‌شود. در برخورد باریکه الکترونی با سطح نمونه مورد نظر، الکترون‌ها قسمت اعظم انرژی خود را از دست داده و توسط نمونه جذب می‌شوند. حال اگر نمونه مورد نظر هادی باشد، جریان الکترون‌ها از نمونه به جانمونه‌ای منتقل شده و پدیده روبش الکترونی به سادگی صورت می‌پذیرد؛ اما اگر نمونه نیمه‌رسانا یا نارسانا باشد، الکترون‌ها روی سطح نمونه جمع شده و پدیده شارژ الکتریکی رخ خواهد داد. در پدیده شارژ الکتریکی با تجمع الکترون‌ها روی سطح نمونه، باریکه الکترونی هنگام روبش دچار جابه‌جایی و انحراف شده و در نتیجه، تصاویر به‌دست آمده بسیار نامطلوب و بی‌کیفیت خواهند بود. معمولا پدیده شارژ الکتریکی به شکل منطقه بسیار روشن در تصویر دیده می‌شود و در اغلب موارد، مانع از تصویربرداری مطلوب خواهد شد [1و2]. در شکل (1) تصویر مربوط به نمونه‌ای که پدیده شارژ الکتریکی در آن اتفاق افتاده است، دیده می‌شود.

.

شکل 1: تصاویر مربوط به تجمع الکترون‌ها روی سطح نمونه که منجر به پدیده شارژ الکتریکی شده و به شکل مناطق روشن در تصویر دیده می‌شود.

با در نظر گرفتن این مهم، نمونه‌های مورد استفاده در میکروسکوپ الکترونی روبشی باید هادی باشند تا از تجمع الکترون‌ها روی سطح آن‌ها ممانعت به‌ عمل آید. در مورد بررسی نمونه‌های نیمه‌رسانا و یا نارسانا مانند نمونه‌های سرامیکی، پلیمری و نمونه‌های زیستی که در برخورد با باریکه الکترونی، الکترون‌ها روی سطح آن‌ها جمع شده و منجر به ایجاد پدیده شارژ الکتریکی می‌شود، بهترین راه حل ارائه شده، اعمال یک پوشش هادی بسیار نازک روی سطح نمونه است [1و3].

1. انواع پوشش‌های اعمالی روی سطح نمونه

پوشش‌های متداول مورد استفاده روی سطح نمونه‌های نیمه‌رسانا و نارسانا به‌طور معمول شامل طلا، طلا/ پالادیوم، پلاتین و یا کربن هستند. انتخاب نوع پوشش اعمالی به جنس نمونه و نوع اطلاعاتی که از نمونه مورد نیاز است، بستگی دارد. از نکات مهم برای انتخاب ماده پوشش اعمالی می‌توان به دارا بودن هدایت الکتریکی مناسب، سرعت انتشار الکترون‌های ثانویه مناسب، پایداری شیمیایی و قیمت مناسب آن اشاره کرد. لازم به ذکر است که در موارد بسیار خاص و با توجه به نتایج درخواستی از نمونه، از پوشش‌های کروم، مس، آلومینیوم و انواع فلزات دیرگداز نظیر تنگستن و تانتالیوم نیز می‌توان به‌عنوان پوشش هادی روی سطح نمونه‌ها استفاده نمود [4].
به‌طور کلی، برای بررسی توپوگرافی سطح نمونه، از پوشش طلا و یا طلا/پالادیوم استفاده می‌شود، زیرا ضریب برگشتی الکترونی عنصر طلا بیشتر از بقیه عناصر بوده و کیفیت تصاویر به‌دست آمده مطلوب‌تر خواهد بود. از طرف دیگر، ذرات طلا به‌طور کامل ریزدانه بوده و به شکل همگن‌تری روی سطح نمونه می‌نشیند. در مورد نتایج مربوط به آنالیز شیمیایی نمونه، عنصر طلا بیشترین هم‌پوشانی را با عناصری نظیر فسفر و گوگرد دارد و از طرفی باعث کاهش دقت مربوط به درصد عناصر موجود در نمونه می‌شود؛ بنابراین، معمولاً برای نمونه‌هایی که نتایج مربوط به ترکیب شیمیایی آن‌ها مورد نیاز است، پوشش کربن به پوشش طلا ترجیح داده می‌شود که علت آن، عدد اتمی کم عنصر کربن است و کمترین تاثیر را روی طیف اشعه‌ایکس خواهد داشت. در جدول (1) موارد استفاده هر یک از انواع پوشش‌های رایج، با توجه به نتیجه مورد نیاز، به شکل خلاصه آورده شده‌است [3].

جدول1: انواع پوشش‌های متداول و موارد استفاده آن‌ها [3]
کاربرد جنس پوشش
تصاویر الکترون‌های ثانویه طلا، پلاتین، طلا-پالادیوم
تصاویر الکترون‌های برگشتی کربن
آنالیز عنصری کربن، آلومینیوم، طلا
الگوی کانال‌زنی کربن
2- انواع روش‌های پوشش‌دهی

یکی از مهم‌ترین نکات مورد توجه در مورد اعمال پوشش مناسب روی سطح نمونه‌های نیمه‌رسانا و نارسانا، مقدار ضخامت پوشش اعمالی است که رابطه مستقیمی با روش پوشش‌دهی دارد. ضخامت لایه پوشش اعمالی باید تنها به اندازه‌ا‌ی باشد که بتواند یک مسیر هادی مناسب برای جریان الکترون‌ها ایجاد کند. از طرف دیگر، پوشش اعمالی باید به اندازه‌ای نازک باشد که باعث تیره شدن و ناپدید شدن جزئیات مربوط به توپوگرافی سطح نمونه نشود. معمولا از دو روش، پوشش‌دهی به روش کندوپاش و پوشش‌دهی به روش تبخیر تحت خلأ برای پوشش‌دهی نمونه‌های مورد بررسی در دستگاه میکروسکوپ الکترونی روبشی استفاده می‌شود که در ادامه به شرح هر یک از آن‌ها خواهیم پرداخت [5و6].

1-2- روش کندوپاش

در روش کندوپاش، اتم‌های تارگت (طلا، طلا/ پالادیوم، پلاتین و غیره) توسط پلاسمای تشکیل شده از یک گاز خنثی (معمولاً آرگون) بمباران شده و به این ترتیب، اتم‌های تارگت مبدأ برای مثال طلا که به‌عنوان کاتد عمل می‌کنند، کنده شده و روی سطح نمونه می‌نشیند (شکل 2). به دلیل این که روش کندوپاش بسیار سریع و آسان بوده و پوشش نسبتاً همگن‌تری را ارائه می‌دهد، متداول‌ترین روش پوشش‌دهی نمونه، برای استفاده در میکروسکوپ الکترونی روبشی به شمار می‌رود.

شکل2: چگونگی عملکرد دستگاه کندوپاش [4].

در این روش، ضخامت پوشش اعمالی با سه عامل جریان، زمان و فاصله نمونه از تارگت، قابل کنترل است و به‌طور معمول از یک نمودار جریان بر حسب زمان، برای تنظیم مقدار ضخامت لایه استفاده می‌شود.کنترل ضخامت مورد نیاز در این روش، در مقایسه با روش تبخیر الکتریکی، دارای دقت بیشتری بوده اما دارای معایبی همچون گرم شدن نسبی نمونه و درشت دانه شدن لایه است.
در این روش، از تارگت‌های مختلفی می‌توان استفاده نمود اما تارگت طلا/پالادیوم بهترین انتخاب برای مصارف عادی است. معمولاً برای کار در بزرگنمایی‌های کم (5 تا 10 هزار برابر) تارگت طلای خالص، در بزرگنمایی‌های متوسط (10 تا 50 هزار برابر) تارگت طلا/پلاتین و در بزرگنمایی‌های بالای 50 هزار برابر،تارگت پلاتین مورد استفاده قرار می‌گیرد [4].
به‌منظور دستیابی به حد تفکیک بسیار بالا که در آن‌ها ضخامت لایه پوشش باید ناچیز بوده و اندازه ذرات خیلی کوچک باشند، می‌توان از تارگت پلاتین، کروم و یا یکی از فلزات دیرگداز نظیر تنگستن یا تانتالیوم استفاده کرد.
لازم به ذکر است که تارگت‌های فلزی همچون طلا، طلا/پالادیوم و پلاتین به شکل صفحه نازک نورد شده با یک ضخامت معین، در دستگاه کندوپاش قرار می‌گیرند که پس از پایان مدت زمان مصرف آن‌ها، باید تعویض شوند.

2-2- روش تبخیر تحت خلآ
در روش تبخیر تحت خلأ، تارگت مبدأ (معمولا کربن)، در محیط خلأ، به اندازه‌ای گرم می‌شود که اتم‌های تارگت تبخیر شده و روی نمونه مقصد می‌نشیند (شکل 3). با استفاده از این روش، در مقایسه با روش کندوپاش، نمونه‌ها کمتر گرم شده که در نتیجه، لایه با دانه‌های ریزتری خواهیم داشت اما کنترل ضخامت لایه مشکل‌تر و زمان‌بر بوده و لایه تشکیل شده ناهمگن‌تر خواهد بود [4]. از این روش معمولاً برای پوشش‌دهی کربن استفاده می‌شود که در آن، تارگت کربن به شکل رشته‌ای است که پس از یک بار استفاده، قابل استفاده مجدد نبوده و باید تعویض شود. در شکل (3) نمای کلی مربوط به روش تبخیر تحت خلأ نشان داده شده‌است.

شکل 3: تصویر مربوط به سازوکار پوشش‌دهی به روش تبخیر تحت خلأ [4].
3- شبکه آزمایشگاهی فناوری راهبردی
این مقاله از مجموعه مقالات فصل نامه شبکه آزمایشگاهی فناوری‌های راهبردی
 سال 2015، شماره 10 برگرفته شده است. برای دسترسی به مراکز خدمات دهنده SEM در روی لینک زیر کلیک کنید [7].
نام دستگاه
دستگاه لایه‌نشانی به روش کند و پاش
دستگاه لایه‌نشانی تبخیر حرارتی
میکروسکوپ الکترونی روبشی

نتیجه گیری
با توجه به مطالب ذکر شده درباره اعمال پوشش هادی روی نمونه‌های مورد بررسی در میکروسکوپ الکترونی روبشی، می‌توان نتیجه گرفت که جنس پوشش مصرفی به میزان زیادی به جنس نمونه و نوع اطلاعاتی که از آن مورد نیاز است، بستگی دارد و همچنین به‌ کارگیری هر یک از این دو روش متداول برای پوشش‌دهی (کندوپاش و تبخیر خلأ) مزایا و معایبی نیز به همراه دارد که مهم‌ترین تفاوت آن‌ها، قابل کنترل بودن ضخامت لایه پوشش داده شده به‌وسیله روش کندوپاش و ریزدانه‌تر بودن لایه به روش تبخیر تحت خلأ است.


منابـــع و مراجــــع


۱ – JosephI.Goldstein et.al,”Scanning Electron Microscopy & X-Ray Microanalysis” Third Edition, Kluwer academic/Plenum Publishers, NewYork Boston, Dordrecht, London, Moscow, 2003.
۲ – “Scanning Electron Microscope A to Z”, JEOL serving advanced technology.
۳ – SEM Q & A, JEOL serving advanced technology.
۴ – Patrick Echlin,”Handbook of Sample Preparation for Scanning Electron Microscopy & X-Ray Microanalysis” Cambridge Analytical Microscopy,UK, 2009.
۵ – Weilie Zhou, “Scanning Microscopy for Nanotechnology Techniques & Applications”, University of New Orleans,2006.
۶ – Invitation to the SEM words, JEOL serving advanced technology.
۷ – فصل نامه شبکه آزمایشگاهی فناوری‌های راهبردی سال 2015 و شماره 10

نوشته های مشابه

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

دکمه بازگشت به بالا